Samsung’un uygun fiyatlı katlanabilir telefon serisine ekleyeceği yeni modeli Galaxy Z Flip FE hakkında önemli detaylar ortaya çıktı. Son raporlara göre, bu cihaz teknik ve tasarım açısından Galaxy Z Flip 6 ile neredeyse tamamen aynı olacak. Bu durum, heyecanla beklenen modelin “yeniden markalanmış” bir versiyon olabileceği yönündeki iddiaları güçlendiriyor.
Galaxy Z Flip FE: Aynı Donanım, Farklı Etiket
Yunanistan merkezli TechManiacs tarafından yayınlanan yeni rapora göre, Galaxy Z Flip FE modeli Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 işlemcisiyle gelecek. Ayrıca cihazda 12 GB RAM yer alacak. Bu özellikler, geçen yıl piyasaya sürülen Galaxy Z Flip 6’nın teknik donanımıyla birebir örtüşüyor.
Cihazın ekran tarafında da herhangi bir farklılık beklenmiyor. Galaxy Z Flip FE, yine 6.7 inçlik esnek AMOLED ana ekran ve 3.4 inçlik kapak ekranı ile gelecek. Sızdırılan render görüntülerinde tasarım çizgileri, Flip 6 ile neredeyse ayırt edilemeyecek düzeyde benzerlik gösteriyor.
Kamera ve Batarya Özelliklerinde Değişiklik Yok
Galaxy Z Flip FE’nin arka tarafında 50 MP ana kamera ve 12 MP ultra geniş açı olmak üzere çift kamera sistemi yer alacak. Ön kısımda ise 10 MP selfie kamerası bulunacak. Bu kamera kurulumu, Flip 6 modelindeki sistemin aynısı.
Batarya kapasitesi de değişmiyor: 4.000 mAh batarya, 25W kablolu ve 15W kablosuz hızlı şarj desteğiyle gelecek. Tüm bu bilgiler, Galaxy Z Flip FE’nin teknik açıdan Flip 6’dan çok da farklı olmayacağını gösteriyor.
Özetle:
- İyi haber: Galaxy Z Flip FE, üst düzey donanımlarla gelecek.
- Kötü haber: Tasarım ve özellikler açısından Galaxy Z Flip 6’dan neredeyse hiçbir farkı olmayacak.
Samsung’un bu modeli özellikle daha uygun fiyatlı bir katlanabilir telefon isteyen kullanıcıları hedefleyerek piyasaya süreceği düşünülüyor. Ancak gerçek yenilik bekleyen kullanıcılar için bu model biraz hayal kırıklığı yaratabilir.
Dilersen bu haber için etkili bir meta açıklama ve etiket listesi de hazırlayabilirim. Yardımcı olmamı ister misin?
Daha fazla güncel haberler için Sinetech.tr’yi takip etmeye devam edin.